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铼掺杂二硒化钼-Re*MoSe2品牌
上海研倍产地
上海样本
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产品技术参数：
| 产品名称 | 铼掺杂二硒化钼-Re*MoSe2 |
| 货号 | RDB-DJ-131 |
| 性质 | 半导体 |
| 保存条件 | 室温密封保存 |
| 纯度 | ＞99.995% |
| 参数 | 尺寸：＞25mm2 ＞35mm2 ＞50mm2 |
| 应用 | 半导体电子器件，光学器件等研究 |
产品规格：
>25 mm2
>35 mm2
>50 mm2
X光微区分析:
X射线衍射: 元素分析:
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高熵合金（High entropy alloys，HEAs）是由4种或4种以上元素以等摩尔比或近似等摩尔比组成的具有简单晶体结构的合金。与传统合金不同，高熵合金没有主体元素，倾向于形成简单固溶体结构，
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