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天然二硫化钼晶体-MoS2品牌
上海研倍产地
上海样本
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产品技术参数：
| 产品名称 | 天然二硫化钼单晶MoS2 |
| 货号 | RDB-DJ-001 |
| 性质 | 半导体晶体 |
| 带隙 | 块体MoS2间接带隙1.2 eV, 单层MoS2直接带隙 1.8 eV |
| 参数 | 尺寸：~10 mm-30 mm |
| 应用 | 半导体电子器件，光学器件等研究 |
产品规格：
尺寸≧ 10 mm
尺寸≧ 15 mm
尺寸≧ 20 mm
天然MoS2晶体照片:
扫描电子显微镜照片: 拉曼光谱数据:
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高熵合金（High entropy alloys，HEAs）是由4种或4种以上元素以等摩尔比或近似等摩尔比组成的具有简单晶体结构的合金。与传统合金不同，高熵合金没有主体元素，倾向于形成简单固溶体结构，
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