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4英寸导电型衬底
4英寸导电型衬底

参考价格

面议

型号

4英寸导电型衬底

品牌

天科合达

产地

北京

样本

暂无
北京天科合达半导体股份有限公司

高级会员

|

第1年

|

生产商

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核心参数
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产品概述

导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料,经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节,可制成碳化硅基功率器件,是第三代半导体产业发展的重要基础材料。为满足客户对小尺寸产品的多样化需求,我们依旧保留部分4英寸及以下小尺寸产品的产能,确保供应无忧。


车规级(Z级)

研发型(D级)

直径99.5 mm-100.0 mm
晶型4H
厚度350 μm±15 μm
晶片方向偏转角度:向<11-20>偏转 4.0° ± 0.5° 
微管密度≤ 0.2 cm-2
电阻率0.015-0.024 Ω·cm
主定位边方向平行于{10-10} ±5.0°
主定位边长度32.5 mm ± 2.0 mm
次定位边长度18.0 mm ± 2.0 mm
次定位边方向硅面朝上:从主定位边顺时针旋转 90° ± 5.0°   
边缘去除3 mm
局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm


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产品质量

10分

售后服务

10分

易用性

10分

性价比

10分
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4英寸导电型衬底信息由北京天科合达半导体股份有限公司为您提供,如您想了解更多关于4英寸导电型衬底报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
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