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光谱 SiC外延体相表相无损缺陷分析
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上海英生
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光谱 SiC外延体相表相无损缺陷分析
产地:
上海
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July 04, 2023 – 微波探测空间分辨率低,仅为mm级别,无法获得载流子寿命精确分布成像。采用全新瞬态吸收光谱成像技术,利用高速相机实现载流子衰减动力学的成像,无需扫描样品!检测速度大幅提升

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