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液氮制冷型红外探测器(二)
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美国
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产品简介
■ K5P10-1-J2 Two Color Detector-- Hybrid InSb Photodiode On MCT Photodiode

◆Top detector 1mm x1mm InSb photodiode

# Amplifier DC to 1MHz BW 40,000 V/A transimpedance

# D* > 1.0 E11 Jones

◆Bottom Detector 1mm x1mm HgCdTe photodiode Amplifier DC to 1MHz BW and 10,000 V/A transimpedance

# D* > 3 E10 Jones

# Cutoff wavelength > 11um

■ Series KMPC MCT Photoconductive Infrared Detectors

◆Nominal bandwidth 1MHz

◆350 ns rise time

◆Extended spectral range to 20 mm

◆Convenient integral amplifier

◆Low noise: 1.5dB NF

◆Custom configurations available

Model * Wavelength(μm)

Peak Cutoff

Size

(mm)

Bandwidth(Hz) D*(60FOV)

(Jones, typ)

Responsivity

(Volts/mWatt)

KMPCP11-1-J1 11 >12 1 x 1 1M 2.00E+10 500 with amplifier
KMPC12-2-A 12 >13 2 x 2   2.00E+10 1
KMPC12-1-A 12 >13 1 x 1   2.00E+10 3
KMPC14-1-A 14 >15 1 x 1   2.00E+10 2
KMPC16-1-A 16 >20 1 x 1   1.00E+10 1

■ Amplifiers for KV104 series HgCdTe photodiodes

Model Type Gain Bandwidth Output
KA020-A1A TIA + bias 1E4 V/A 100 Hz 20MHz 20V p-p
KA020-A1 TIA + bias 1E4 V/A DC 20 MHz 20 V p-p
KA050-A1 TIA + bias 4E3 V/A DC 50 MHz 20 V p-p
KA100-A1 TIA + bias 4E3 V/A DC 100 MHz 8 V p-p

■ Amplifiers for KMPC series HgCdTe photoconductors

Model Type Gain Bandwidth Output
KA-S3 TIA + bias 1E4/Rd V/V 20 Hz 300 kHz 20 V rms
KA-S4 TIA + bias 1E4/Rd V/V 20 Hz 500 kHz 20 V rms
KA-S5 TIA + bias 1E4/Rd V/V 20 Hz 1 MHz 20 V rms

■ Amplifiers for KISD series InSb photodiodes

Model Type Gain Bandwidth Output
KA020-C1 TIA + bias 1E4 V/A DC 10 MHz 20 V p-p
KA05-C1 TIA + bias 5E4 V/A DC 5 MHz 20 V p-p
KA03-C1 TIA + bias 1E5 V/A DC 3 MHz 20 V p-p
KA01-E6-AG Adj. gain

1-2-5-10 step+bias

1E5 1E7 V/A DC 1 MHz 20 V p-p

■ Post Amplifiers: Gain and Line Drivers

Model Type Gain Bandwidth Output
KA100-E1 Buffer 1 V/V DC 100 MHz* 20 V p-p
KA100-E2 Buffer 20 V/V DC 100 MHz* 20 V p-p
KA100-E3 Buffer 2 V/V DC 100 Hz* 20 V p-p
*AC coupled 100 Hz 100 MHz (optional)
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