L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征，包括:迁移率，电阻率，载流子浓度和霍尔常数。

基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温（液氮）附件结合高温炉（温度可达240°C）可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。

基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V 和 I-R 数据图.

系统可测试多种材料包括Si， SiGe， SiC， GaAs， InGaAs， InP， GaN (N 型或P型均可测量)， 金属膜， 氧化物等. 样品测试时便可完成系统功能演示

特点

? 载流子浓度

? 电阻率

? 迁移率

? 电导率

? α (水平电阻值/垂直电阻值)

? 霍尔常数

? 磁致电阻