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产品简介:GSL-PECVD-300化学气相沉积采用等离子体增强型化学气相沉积技术,基本温度低,沉积速率快,在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂,适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件,可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。
产品型号 | GSL-PECVD-300化学气相沉积 | ||
安装条件 | 本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:设备配有自循环冷却水机(加注纯净水或者去离子水) 2、电:AC380V 50Hz,必须有良好接地 3、气:设备腔室内需充注氮/氩气(纯度99.99%以上),需自备实验所需气体气瓶(自带?10mm双卡套接头)及减压阀 4、场地:设备尺寸2200×2000mm×1500mm,承重1000kg以上 5、通风装置:需要 | ||
主要特点 | 1、所需成膜温度低 2、沉积速率快,应用广泛 3、体积小,操作简便 4、采用射频为增强源易于控制 5、清理安装便捷。 6、一体化触摸屏控制 | ||
技术参数 | 1、系统采用单室筒式结构,手动前开门; 2、真空室组件及配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造(304),氩弧焊接,表面采用喷玻璃丸+电化学抛光钝化处理配有可视观察窗口,并带挡板,真空有效尺寸为Φ300mm×300mm; 3、极限真空度:≤6.67x10-4Pa (经烘烤除气后,采用600L/S分子泵抽气,前级采用4L/S); 系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa,40分钟可达到; 停泵关机12小时后真空度:≤5 Pa; 4、采用样品在下,喷淋头在上的电容式耦合方式进气; 5、样品加热**加热温度:500℃,温控精度:±1°C,采用控温表进行控温; 6、喷淋头尺寸:Φ90mm,喷淋头与样品之间电极间距40-100mm在线连续可调(可根据工艺调整),并带有标尺指数显示; 7、 沉积工作真空:0.133-133Pa(可根据工艺调整); 8、射频电源:频率 13.56MHz,**功率500W,全自动匹配; 9、.气体种类(用户提供),使用质量流量控制器控制进气。 10、系统设有尾气处理系统(用户自备)。 | ||
产品规格 | 整机尺寸:1200x1500x1500mm; | ||
标准配件 | 1 | 电源控制系统 | 1套 |
2 | 真空机组 | 1套 | |
3 | 真空测量 | 1套 |
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