Rpo-6型号抛光机

主要特点

技术

化学机械抛光（CMP）是用来对正在加工中的晶片或其他物料进行平坦化处理的过程，而抛光技术则是利用了物理和化学的协同作用对晶片进行的抛光，通过给储存在抛光片里样本的底座一个加载力而完成的，当包含了研磨剂和活性化学剂两种成分的抛光液通过底部时，抛光垫和样本开始计数旋转。

原位摩擦

该仪器通过测量原位摩擦和磨损程度来研究基本的抛光技术，而摩擦的变化则可用来描述移除率的近似值。

原位垫片磨损

原位磨损率则可用来反应在抛光，调节等情况下垫片的状态。

状态

原位和非原位调节

晶片尺寸

易于替换的晶片夹具可在同一测试仪上进行抛光样品的尺寸由1英寸至6英寸。

泵

独立的可编程泵可提供泥浆，水以及其他的化工产品。

消耗品和相关咨询

我们所提供的标准抛光材料里包含的不仅仅是仪器还有一系列的消耗品(抛光液、抛光垫等)，与此同时，我们科学团队也会为您提供有关工艺流程开发和优化的咨询服务。

规格

人工晶片装载

台式CMP研发系统

l原位和非原位调节

l使用可编程泵的泥浆和水管

l高硬度和良好的力控制

l340mm的滚筒直径

l6英寸的样本

l原位摩擦和垫片磨损选

l打印尺寸 w870x，d800x，h870mm

l应用程序—CMP，MEMS，消耗品测试

应用

抛光

工艺开发

环境开发

抛光液开发

抛光垫表征

粒子开发