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SI APD雪崩光电探测器
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暂无
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加拿大
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产品简介

SI APD雪崩光电探测器

AD100-8 TO

圆形有源区APD芯片直径为100μm。 该装置为透明玻璃窗的密封TO52包装。其中根据定制要求,两种TO52类型可供选择。

产品特征:

APD具有0.008mm2的有效面积

100μm直径有效面积

低偏置电压时的高增益

快速上升时间,低电容

**增益:50-60

产品应用:

激光测距仪

高速光度测定

高速光通信

用器材

****额定值

符号

参数

*小值

**值

单位

TSTG

Storage temp

-55

125

TOP

Operating temp

-40

100

Mmax

Gain IPO=1 nA

-200

IPEAK

Peak DC current

0.25

mA

光电参数@23℃:

符号

特性

测试条件

*小值

典型值

**值

单位

有效区域

直径 100

um

有效区域

0.00785

mm2

ID

暗电流

M=100

0.05

0.1

nA

C

电容

M=100

0.5

pF

响应

M=100λ=800nm

45

50

A/W

tR

上升时间

M=100λ=905nmRL=50?

0.18

ns

截止频率

-3dB

2

GHz

VBR

击穿电压

IR=2uA

80

160

v

温度系数

VBR随时间变化

0.35

0.45

0.55

V/K

过大噪声因素

M=100

2.2

过大噪声指数

M=100

0.2

光谱响应图(M=100):

量子效应(23℃) 电容为反偏压(23°C)

乘积作为偏压(23°C60℃) 暗电流为偏压(23℃,60℃)

应用提示:

?电流应受到电源内部的保护电阻或电流限制 - IC限制

?对于低光照应用,应使用环境光的遮挡

?对于高增益应用,偏置电压应进行温度补偿

?处理时请考虑基本的ESD保护

?使用低噪声读出 - IC

?有关更多问题,请参阅文档“处理和处理说明”

?**增益:50-60

封装图:

包装尺寸:

少量:泡沫垫,盒装(12厘米x 16.5厘米)

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