Si ATR棱镜

光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 更高的电阻率材料可客户定制，特别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ，可以提供没有这种吸收的浮区材料。

硅主要用作3至5um波段的光学窗口并用作光学滤波器的制片基底。 具有抛光面的大块硅也用作物理实验中的中子靶。

硅通过Czochralski拉伸技术（CZ）生长并且包含一些导致9um的吸收带的氧。 为了避免这种情况，硅可以通过浮区（FZ）工艺制备。 光学硅通常轻掺杂（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段**透射。 硅具有30至100um的另一通带，其仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 掺杂通常是硼（p型）和磷（n型）。

详细参数：

透射范围：1.2?15μm（1）

折射率： 3.4223 @5μm（1）（2）

反射损耗： 46.2％（5μm）（2个表面）

吸收系数： 0.01cm ^-1 at 3μm

吸收峰： n / a

dn / dT： 160×10^-6 /℃（3）

dn /dμ= 0： 10.4μm

密度： 2.33g / cc

熔点： 1420℃

热导率： 273.3W m^-1 K^-1

热膨胀： 2.6×10 ^-6 /℃at20℃

硬度： Knoop 1150

比热容： 703JKg^-1K^-1

介电常数： 13 at 10GHz

杨氏模量（E）： 131GPa（4）

剪切模量（G）： 79.9GPa（4）

体积模量（K）： 102GPa

弹性系数： C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80（4）

表观弹性极限： 124.1MPa（18000 psi）

泊松比： 0.266（4）

溶解性：不溶于水

分子量： 28.09

类别/结构： 立方钻，Fd3m

折射率：

No = Ordinary Ray

订购信息：

产品型号: SICZPRISM52-20-2-45

IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)

52 x 20 x 2mm 45° ATR prism.

梯形

产品型号: SICZPRISM80-10-4-45

IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)

80 x 10 x 4mm 45° ATR prism.

梯形