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产品分类
产品简介
设备概述
氮化铝晶体生长炉主要用于物理气相传输法（PVT）生长大尺寸、高质量AlN单晶。
设备优势
1、建立温场与AlN半导体晶体生长动力学的精准关系，揭示晶体结晶和动力学过程，解决扩径难、易开裂等生长难点科学问题。
2、优化坩埚和温场梯度结构的设计，实施动态检测晶体生长过程和温场边界条件，自主搭建国际上**大尺寸AlN单晶生长炉。
3、解析AlN晶体缺陷结构和性能参数之间的关系，建立高质量、低缺陷AlN半导体单晶的退火工艺，有力解决AlN晶体缺陷富集的难点问题。
设备参数
| 反应器尺寸 | 直径500mm x 900mm | 电源频率，HZ | 50±1 |
**操作温度2600° C （氩气中） | 相数 | 3 | |
| 工作气体 | 氩气，氮气 | 压缩气体，Mpa | 0.6 |
| **真空值 Torr | 10-5 Torr | **功率，kw | 50 |
| 电源功率 kw | 75kw | 晶体生长天数，天 | 7 |
| 电源工作频率 kHz | 15kHz | 氮气消耗量，m3/炉 | ≤6 |
| 自动化参数控制系统 | 电极接法 | △ | |
| 冷却系统 | 20kW冷却装置（闭合电路） | 设备外形尺寸（长x宽x高）mm | 1920x920x2790 |
| 电源电压，V | 380±19 | **电流，A | 90 |
| 输出电压，V | 500-550 |
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