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高频高直流迭加Mn-Zn铁氧体材料的性能

编号:FTJS01985

篇名:高频高直流迭加Mn-Zn铁氧体材料的性能

作者:刘亚丕; 何时金;

关键词:Mn-Zn功率铁氧体; 直流迭加场; 高频; 低功耗; 截止频率;

机构: 中国计量学院材料科学与工程学院; 横店集团东磁有限公司博士后科研工作站;

摘要: 高工作频率、低损耗和高直流迭加磁芯是决定电子器件体积和性能的主要因素。在开发出DMR50材料的基础上,采用低温烧结技术,用传统的陶瓷法工艺制备了可使用至3MHz的低功耗高直流迭加Mn-Zn铁氧体材料DMR50B。在3MHz,10mT和100℃时材料的功耗在200kW/m3左右,在700kHz,30mT和100℃时只有20kW/m3左右。材料在100℃时的Bm=430 mT,HDC=100A/m。材料的截止频率fr在4MHz左右,与用斯诺克定律计算出的结果相符合,并可用晶界模型解释。材料优异的性能是由其小于单畴临界尺寸3.8μm的均匀细晶粒结构(D=2.40μm)决定的。

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