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仪器简介:
光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner)
原产国: 韩国,**能做到图形化蓝宝石衬底(PSS)光刻机,高性价比
型号:KCMA-100;
又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统,光刻机,紫外曝光机等;
ECOPIA为全球**的半导体设备供应商,多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产,并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域;该公司是目前世界上*早将光刻机商品化的公司之一,拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力;并且其设备被众多**企业、研发中心、研究所和高校所采用;以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务,赢得了用户的青睐。
感谢南开大学,中科院半导体所,中科院长春应化所,中科院物理所,浙江师范大学使用此设备做课题研究!!
此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比**的型号,达到欧美品牌的对准精度,CCD显示屏对准更为方便,液晶触摸屏操作,采用欧司朗紫外灯,寿命长。整机效果皮实耐用,正常使用3年内不会出问题!!
目前,上海蓝光已采用该公司全自动型光刻机做LED量化生产,证明其品质达到LED产业标准要求!!而且已经成功提供图形化蓝宝石衬底(PSS)光刻工艺设备.
技术参数:
- 基片尺寸:4、6、8、12、25英寸,其他尺寸可定制;
- 光束均匀性:<±3%;
- 曝光时间可调范围:0.1 to 999.9秒;
- 对准精度:0.6-1微米
- 分辨率:1微米;
- 光束输出强度:15-25mW/cm2;
项目 | 技术规格 | |
曝光系统(Exposure System) MDA-400M型 | 光源功率 | 350W UV Exposure Light source with Power supply |
分辨率 | - Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer ) - Hard Contact : 1um - Soft contact : 2um - 20um Proximity: 5um | |
**光束尺寸 | 4.25×4.25 inch | |
光束均匀性 | ≤ ±3% (4inch standard) | |
光束强度 | 15~20mW/cm2(365nm Intensity) | |
曝光时间可调整 | 0.1 to 999.9 sec | |
对准系统(Alignment System) | 对准精度 | 1um |
对准间隙 | 手动调节(数字显示) | |
光刻模式 | 真空, 硬接触, 软接触,渐进(Proximity) | |
卡盘水平调节 | 楔形错误补偿Wedge Error Compensation | |
真空卡盘移动 | X, Y: 10 mm, Theta: ±5° | |
Z向移动范围 | 10mm | |
接近调整步幅 | 1um | |
样品(Sample) | 基底 Substrate | 2, 3, 4 inch |
掩模板尺寸 | 4 and 5 inch | |
Utilities | 真空 Vacuum | < -200 mbar (系统包含真空泵) |
压缩空气 CDA | > 5Kg/cm2 | |
氮气 N2 | >3Kg/cm2 | |
电源 Electricity | 220V, 15A, 1Phase | |
显微镜及显示器 CCD and Monitor | Dual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x; |
主要特点:
- 光源强度可控;
- 紫外曝光,深紫外曝光(Option);
- 系统控制:手动、半自动和全自动控制;
- 曝光模式:真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式;
- 真空吸盘范围可调;
- **技术:可双面对准,可双面光刻,具有IR和CCD模式
-两个CCD显微镜系统,**放大1000倍,显示屏直接调节,比传统目镜对准更方便快捷,易于操作。
- 特殊的基底卡盘可定做;
- 具有楔形补偿功能;
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