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台湾EMT7065霍尔效应仪
霍尔效应仪可以测量Si， SiGe， SiC， GaAs， InGaAs， InP， GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。EMT7065霍尔效应仪运用先进的Keithley电子仪表，和我们在极端的条件下能够很好的整合一整套系统，我们的霍尔效应仪温度范围可以达到4K-1000K，磁场可以升级到9T。
可以结合许多极端环境平台：
从4K到1000K温度不改变样品架
制冷机温度可达到1000K
宽泛的测量范围无需跟换腔体进行操作
坚固设计并安装在冷却器的上端，换样品时不会接触到。
许多标准的安装配置可用-可定制适合你的冷端或者样品架安装配置
可以使用许多不同的封闭式和开放式循环制冷机
提供高温系统以及温度控制器
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