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普克尔盒
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LINOS 普克尔盒

LINOS提供基于KD*P晶体、BBO晶体、RTPC晶体和LN晶体的各类普克尔盒产品,适用用波长范围广,损伤域之高,消光比优良。标准产品如下表所示:

Fig.1 Linos 普克尔盒

KD*P普克尔盒特性:(1)高氘化率:> 98% 2)波前畸变:<λ/4 3)损伤阈值 : > 500 MW/cm2 @ 1064 nm, 10 ns, 1 Hz (下同)(典型值,非保证值)4)普通型水浸型 (IM) 或者溶胶型 (SG) 版本可选 可选项:λ/4 波片

典型参数表

晶体类型

通光孔径( mm )

透过率 (%)

消光比( 无外加电压 )

λ/4 电压(kV)@1064nm

电容值( pf )

KD*P

? 3.5-? 15

不同通光孔径84-99

500:1-3000:1

3.2

4-8

BBO普克尔盒特性:(1)带压电衰减器 (2)适合作为高重复率Q开关 (3)波前畸变:<λ/4 4)损伤阈值> 300 MW/cm2

BBO

?2.6?3.6?4.6?5.6

98

> 1000:1

1.82.43.03.6

3.64.86.0

4/8

RTP普克尔盒特性:(1)波前畸变:<λ/4 2) 适合作高重复率Q开关(3)损伤阈值:> 600 MW/cm2

RTPC

?2.6?3.6

98

>200:1

0.51.30.65

3

LiNbO3普克尔盒特性:(1)晶体波前畸变:<λ/4 2)损伤阈值:> 100 MW/cm2

LiNbO3

7.45 x 7.459 x 95 x 5

9899

>100:1

34.51.9 (+15-10 %) @2 μm

-

安装座

?紧凑和稳定型设计?可轻松调整俯仰、偏航和旋转?拥有精细螺纹调节?可兼容上至 35 mm普克尔盒

?用于 OEM 的特殊结构也可提供

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10分

售后服务

10分

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