参考价格
面议型号
12英寸快速退火炉RTP品牌
量伙半导体产地
上海样本
暂无非金属电热元件:
其他金属电热元件:
其他烧结气氛:
其他温控精度:
-最高温度:
-额定温度:
-看了12英寸快速退火炉RTP的用户又看了
虚拟号将在 180 秒后失效
使用微信扫码拨号
简介(Description)
B系列半自动快速退火炉,适用于多规格尺寸(9片4英寸,4片6英寸,1片8英寸)硅片、第二代、第三代化合物材料等(包括但不限于,磷化铟、砷化镓、碳化硅、氮化镓等各类衬底和外延片),拥有出色的热源和结构设计。双面加热方式与单面加热相比,可以大幅减小图案加载效应,晶片上热的均匀性将更好。1-5路气体配置(可定制),可抽真空腔体。设备国产化率达到95%以上,配件渠道丰富。
定义(Definition):
快速热处理(RTP)设备是一种单片热处理设备,可以将晶圆的温度快速升至工艺所需温度(200-1300℃)并且能够快速降温,升/降温度速率约20-250℃。RTP设备还具有其他优良的工艺性能,如**的热预算和更好的表面均匀性,尤其对大尺寸的晶圆片。多用于修复离子注入后的损伤,多腔体规格可以同时运行不同的工艺过程。
设备规格(Specifications)
1、适用于2、4、6、8英寸 Wafer(双腔体可摆放9片4英寸或4片6英寸或1片8英寸材料进行加热处理);2、冷却方式包括水冷和氮气吹扫(循环常温水冷却,软件可视化监控管理,防止外壁过热,内置氨气管路,吹扫腔
体,保持清洁,极速降温);
3、MFC控制,1-5路制程气体。(品牌MFC控制器,内置多路气氛管路,可定制开通,满足各类测试工艺需求);4、退火温度范围 300℃-1000℃(常规硅基材料温度适用于850℃,第三代半导体材料**可到1350℃)5、升温谏率 ≤150℃/秒(升温速度随不同的材料及装置会有差异,标准数据是裸片放置内测量后得出,150摄氏度每秒是常规温度速率,加热设备的极限会更高);
6、Windows操作系统:(高性能工业电脑,搭载windows操作系统,larcomse专属软件操作,上手简单,系统功能强大,各类数据可视化程度高,内容丰富,亦可定制软件模块);
7、配置真空系统(有定压功能,满足常规真空要求,使用分子泵能达到更高的真空度,能定制真空度);8、多只红外卤素光源(根据需求可配置数量不等的灯管,以满足工艺加热要求)
设备主要工艺应用(Application):
快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氨化(RTN);
离子注入/接触退火;
·高温退火;
●高温扩散;
金属合金;
热氧化处理。
暂无数据!