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产品性能：
*工作温度：200～1200℃/2200℃
*结构方式：水平/垂直，片数：1/3/6/多片（科研/生产型）
*多温区，动态高精度生长条件控制
*低压、常压、微正压工艺方式，衬底片升降、旋转（厚膜/晶体生长）
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