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6英寸导电型衬底
6英寸导电型衬底

参考价格

面议

型号

6英寸导电型衬底

品牌

天科合达

产地

北京

样本

暂无
北京天科合达半导体股份有限公司

高级会员

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第1年

|

生产商

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产品规格书

车规级(Z级)

研发型(D级)

直径149.5 mm-150.0 mm
晶型4H
厚度350 μm±15 μm
晶片方向偏转角度:向<11-20>偏转4.0±0.5°
微管密度≤0.2 cm-2
电阻率0.015-0.024 Ω·cm
主定位边方向{10-10} ±5.0°
主定位边长度47.5 mm±2.0 mm
边缘去除3 mm
局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度≤2.5 μm/≤6 μm/≤25 μm/≤35 μm
表面粗糙度抛光 Ra≤ 1 nm
CMP Ra≤ 0.2 nm
边缘裂纹(强光灯观测)——
六方空洞(强光灯观测)累积面积 ≤ 0.05%
多型(强光灯观测)——
目测包裹物(日光灯观测)累积面积 ≤ 0.05%
硅面划痕(强光灯观测)——
崩边(强光灯观测)不允许宽度≥ 0.2 mm,深度≥ 0.2 mm
穿透螺位错≤ 500 cm-2
硅面污染物(强光灯观测)——
包装多片卡塞 / 单片盒包装 


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