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产品概述
导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅基功率器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。为满足客户对小尺寸产品的多样化需求，我们依旧保留部分4英寸及以下小尺寸产品的产能，确保供应无忧。
车规级（Z级）
研发型（D级）
| 直径 | 99.5 mm-100.0 mm | |
| 晶型 | 4H | |
| 厚度 | 350 μm±15 μm | |
| 晶片方向 | 偏转角度：向<11-20>偏转 4.0° ± 0.5° | |
| 微管密度 | ≤ 0.2 cm-2 | |
| 电阻率 | 0.015-0.024 Ω·cm | |
| 主定位边方向 | 平行于{10-10} ±5.0° | |
| 主定位边长度 | 32.5 mm ± 2.0 mm | |
| 次定位边长度 | 18.0 mm ± 2.0 mm | |
| 次定位边方向 | 硅面朝上：从主定位边顺时针旋转 90° ± 5.0° | |
| 边缘去除 | 3 mm | |
| 局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度 | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | |
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