非金属电热元件:
硅钼棒金属电热元件:
铁铬铝丝烧结气氛:
其他温控精度:
±1℃最高温度:
1150℃额定温度:
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高性能射频电源.等离子体更稳定;
滑轨式结构能使整个反应腔室都处于辉光产生区;
可实现快速升温和降温功能;与传统CVD相比较,生长温度更低。
项目 | 型号 | TFE - 1200 - 50 - 220 |
**温度 | 1150℃(短期) | |
额定温度 | 1100℃ | |
推荐升温速率 | ≤10℃/min | |
控制精度 | ±1℃ | |
炉管尺寸 | Φ30/50/60*1200mm | |
炉膛尺寸 | Φ80*220mm | |
加热区长度 | 220mm | |
恒温区长度 | 80mm | |
加热元件 | 优质国产电阻丝 | |
额定功率 | 3KW | |
供气系统 | 三路高精度MFC 量程0-500sccm(可定制) | |
射频电源 | 射频功:5-500W; 射频频:13.56MHz; 匹配方式:自动匹配 | |
真空系统 | 双级旋片真空泵(可定制扩散泵 分子泵等) | |
外形尺寸 | 1250*510*810mm |
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