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粤升设备自主研发的SiC外延炉，外延炉已获得多家外延生长厂家批量订单，生长的SiC外延片质量达到国际**水平，满足SBD和MOSFET器件的制备要求。
设备名称:SiC外延炉
设备型号:YS-E08S01
设备功能:CVD法生长SiC同质外延
衬底尺寸:6吋兼容8吋
片内厚度不均匀性:<2%片内掺杂浓度不均匀性:<5%形貌缺陷密度:<1个/平方c㎡
·具备n、p型及高速率的外延生长能力
·RUN TO RUN性能优异
高均匀性、低缺陷的SiC外延质量
，供液一体化系统，
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