8英寸SiC晶片

推荐中科院成功制备8英寸碳化硅晶体

中国粉体网讯 近期，中科院物理研究所科研人员通过优化生长工艺，改善晶体结晶质量，成功制备单一4H晶型的8英寸碳化硅(SiC)晶体，并加工出厚度约2mm的8英寸SiC晶片，实现了国产大尺寸碳化硅单晶衬底的突破。中科院方面表示，[更多]