AlN陶瓷基板

推荐氮化铝：半导体领域一直在“征服”的材料

中国粉体网讯 氮化铝属于典型的第三代半导体材料，它具有特宽禁带和非常大的激子束缚能，其中禁带宽度为6.2eV，属于直接带隙半导体。由于氮化铝具有多种突出的优异物理性能，如高的击穿场强、热导率、电阻率等，在半导体领域中一直备受[更多]