中国粉体网讯 氮化硅(Si3N4)薄膜是一种应用广泛的介质材料。作为非晶绝缘物质,氮化硅膜的介质特性优于二氧化硅膜,具有对可动离子阻挡能力强、结构致密、针孔密度小、化学稳定性好、介电常数高等优点,在集成电路制造领域被广泛用作[更多]
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