氮化铝镓

推荐下一代功率电子材料--AlGaN

中国粉体网讯 到目前为止,SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)作为功率电子器件晶体管的半导体材料的研发已经取得进展,并且已经开始实用化。通常由轻元素构成的半导体的介电击穿电阻较高,但是如果将GaN中的一部分Ga替换为较轻的Al[更多]

资讯 碳化硅氮化镓氮化铝镓第四代半导体MOCVD
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