中国粉体网讯 氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体的代表之一，拥有宽禁带、高击穿场强、高热导率和高电子漂移速率等优点。制备出的氮化镓器件导通电阻小、电子迁移率高、热导性好，而且在散热、能耗、体积等方面也有着很大的优势，不仅[更多]
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