中国粉体网讯 多晶氧化物陶瓷材料由于晶粒和晶界表现出的半导体特性,丰富了其在功能陶瓷材料领域应用的多样性。然而,如何通过缺陷工程来调控晶粒能带结构和晶界势垒,对于实现高性能电子器件至关重要。近日,中国科学院新疆理化技术研究所[更多]
用微信扫码二维码分享至好友和朋友圈