高导电

推荐高导电氧化锌陶瓷问世

中国粉体网讯 中科院上海硅酸盐研究所研究员李国荣团队通过晶粒及晶界缺陷设计的方法，成功消除了ZnO晶界处的肖特基势垒，制备出高导电的ZnO陶瓷，其室温下的电导率高达1.9×105 Sm-1；同时缺陷设计也降低了材料的晶格热导[更多]