硅基氮化铝

推荐北京大学采用化合积电高质量氮化铝薄膜破解GaN-on-Si制备难题

中国粉体网讯 凭借高功率、高频工作环境下的优良性能，氮化镓（GaN）正在快速崛起，无论是在功率，还是射频应用领域。由于大尺寸硅（Si）基板具备低成本优势，且对现有CMOS工艺兼容，使得硅基氮化镓（GaN-on-Si）成为市场[更多]