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推荐功率器件的新欢与旧爱：SiC MOSFET与Si IGBT

中国粉体网讯 现代功率半导体技术飞速发展至今，硅基功率半导体器件性能已逼近其材料极限。Si IGBT作为主流的硅基功率开关器件，其具有低导通损耗及低成本的优势，但高开关损耗限制了其在高开关频率、高功率密度变换器中的应用。作为[更多]