晶体生长

推荐陈小龙团队：晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破性进展

中国粉体网讯 碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移[更多]