中国粉体网讯 8月1日,九峰山实验室6寸碳化硅(SiC)中试线全面通线,首批沟槽型MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)器件晶圆下线。至此,该实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。碳化硅(SiC[更多]
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