李辉

推荐液相法SiC有何最新进展？

中国粉体网讯 目前SiC单晶的生长方法主要包括以下三种：物理气相传输法、高温化学气相沉积法、液相法。70年代PVT法的技术突破，液相法逐渐被边缘化。如今，由于PVT法在制造大尺寸SiC晶体和降低成本方面遇到挑战，液相法重新引[更多]