物理气相传输

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中国粉体网讯 碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势，在高温、高压、高频领域表现优异，已成为半导体材料技术领域的主要发展方向之一。SiC衬底主要包括导电型和半绝缘型两[更多]