硒化铟

推荐乌克兰科学家研发纳米级超薄硒化铟

中国粉体网讯 纳米级超薄硒化铟是一种具有独特性能的类石墨烯新半导体材料，其厚度从一层（~0.83 nm）到几十层不等。这种新半导体材料的电学和光学性能研究是在2010年物理学诺贝尔奖得主—英国曼彻斯特大学教授安德烈·海姆的实[更多]