徐永宽

推荐碳化硅单晶生长：迈向大尺寸、高质量的征途

中国粉体网讯 目前，用于SiC晶体生长的主要技术包括物理气相输运（PVT）法、高温化学气相沉积（ HTCVD）法，以及顶部籽晶溶液生长（TSSG）法。其中，PVT法作为现阶段发展最为成熟、应用最广且商业化程度最高的SiC单晶[更多]