中国粉体网讯 近日,中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶,达到国际最高水平。氧化镓拥有超宽带隙(4.2-4.9eV)、超高临界击穿场强(8MV/cm)、超强透明导电性等优异物理性能,导通特性约为碳化硅的10倍,理[更多]
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