浙大杭州科创中心

推荐国内首次厚度达100 mm! 碳化硅单晶生长取得新进展

中国粉体网讯 据浙大杭州科创中心官微消息，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室的研究人员们经过近两年的努力，首次生长出厚度达100 mm的超厚碳化硅单晶！若要将碳化硅单晶厚度显著提升[更多]