浙大科创先进半导体研究院

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中国粉体网讯 近日，浙大科创先进半导体研究院-杭州乾晶半导体联合实验室经过系列技术攻关，在大尺寸碳化硅（SiC）单晶生长及其衬底制备方面取得突破，成功生长出厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭，并加工获得了8英寸碳化硅衬底[更多]