浙大科创中心

推荐新成果！浙大科创中心8英寸碳化硅衬底研制成功

中国粉体网讯 近日，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院-杭州乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）经过系列技术攻关，在大尺寸碳化硅（SiC）单晶生长及其衬底制备方面取得突破，成功生长出厚度达27毫米的8[更多]