氧化铟和氧化锡均具有优良的物理化学性能, 将它们按不同比例混合可以制得电学性能优异的n 型半导体材料。90%的氧化铟和10%的氧化锡复合即形成了铟锡复合氧化物ITO 粉体, 反之在氧化锡粉体中适量复合氧化铟又可以得到气敏性能[更多]
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