中国粉体网讯  碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，一度被视为新能源汽车领域的理想材料。特斯拉，曾打响SiC上车的第一枪。2011年，科锐（现Wolfspeed）公司推出全球首款SiC MOSFET。5年后，特斯拉发布第四款车型Model 3，该车型的主逆变器安装了24个意法半导体（ST）公司生产的SiC MOSFET功率模块。搭载24个SiC MOSFET功率模块的Model 3主逆变器（来源：NE时代）此后，SiC不仅成为半导体厂商激烈涌进的热门赛道，也在全球新能源车市场加速上车。不过转过头来，特斯拉在今年的投资者日活动上表示，为进一步降低车辆成本，计划在下一代电动汽车动力系统..【详细】