编号：CYYJ043582
篇名：Al4SiC4粉体的中低温氧化动力学
作者：郑岐 孙侨阳 袁磊
关键词： Al4SiC4粉体 含碳耐火材料 抗氧化性 动力学
机构： 中民驰远实业有限公司 东北大学冶金学院
摘要： 以铝粉、硅粉、和碳粉为原料制备出Al4SiC4粉体,采用连续称重法研究了Al4SiC4粉体在600~1200℃下的氧化动力学.研究结果表明,Al4SiC4粉体的氧化过程可分为两个阶段,两个阶段的氧化速率均随温度的升高而增大,但第二阶段的反应活化能远大于第一阶段的反应活化能.通过动力学分析可知,第一阶段的动力学方程符合表面化学反应控制模型,而第二阶段的动力学方程则符合扩散控制模型,两个阶段的氧化速率常数分别为:k1=8.17exp(-47.47/RT)和k2=105.34exp(17500/RT).Al4SiC4粉体的整个氧化过程符合两阶段模型,这是由于在其表面生成了一层由Al2O3和SiO2组成的氧化膜.同时,该氧化膜使得反应物氧气和生成物二氧化碳的扩散变得缓慢,反应速率减小.因此,扩散被认为是整个氧化过程的限制性环节.
