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♦ 专门用于硅碳化合物(SiC) 的氧化处理，可实现SiC片在高温真空环境下完成高温氧化工艺。氧化工艺使用湿法氧化气体或N2O、NO、NO2,是*安全的毒性气体氧化炉 ♦ 设备适用于SiC基功率器件制造中的高温氧化工艺环节 ♦ 加热腔与工艺腔独立密闭设计，提供工艺腔的洁净度
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