集成电路

1) 用于超小型MOS晶体管的栅侧壁和绝缘体.

1) 由于SiNx中H含量较低，MOS晶体管的寿命延长了2个数量级。

尚未实现大规模生产

化合物半导体器件

1) GaN、GaAs等超高频晶体管的钝化.

1) 通过减少钝化层以下的表面损伤来提高GaN或GaAs晶体管的截止频率和可用功率。

1) 和 2) 都实现了产业化应用.

2) 用于光通信的激光器钝化

2) 通过减少损伤增加能量和寿命

显示器

1) a-Si TFT (非晶硅薄膜晶体管),

1) 具有较大的开关比，可实现低关断电流和高稳定性。

1) 尚未产业化

2) 沉积态的薄膜晶体管.

2) 迁移率超过40cm2/Vs。

2) 尚未产业化

3)有机电致发光器件上的气体阻挡膜.

3) OLED寿命超过15,000小时。

3) 尚未产业化

4) 复印机用感光鼓

4) 气体利用效率高，高速沉积。

4) 小规模生产

太阳电池

1) 薄膜太阳能电池.

1) HWCVD的沉积速率快，气体利用率比PECVD高一个量级.

1) 尚未产业化

2) 晶体硅太阳电池中的钝化层和减反射层.

2) 用HWCVD镀的膜具有极低的表面复合速率 velocity <0.2 cm/s .

2) 尚未产业化

3) 非晶硅/晶体硅异质结太阳电池

3) 无等离子体损伤、气体利用率高

3) 大规模批量生产

机械工程

1) 汽车用镀金属镀层的替代涂装方法。

1) 混合动力轿车采用HWCVD镀膜后，镀层寿命比传统镀金属提高1个数量级。

1) 技术开发中

2) 在剃须刀上涂上涂层。

2)在不牺牲锐度的情况下，制造出低摩擦表面。

2) 高档剃须刀已产业化

其他应用

1) 去除光刻胶。

1) 用HWCVD法去除经高剂量离子注入后的光刻胶，且不会有任何残留。

1) 相关设备已制造。

2) 表面清洁。

2) 清洁远紫外光刻的反射镜表面

2) 在远紫外光刻设备中应用.

3) 改善喷墨或丝网印刷金属线的电阻率。

3) 用HWCVD进行氢处理可以在室温下形成低电阻率的Cu或Ag金属线。

3)产业化推进中

4) HWCVD法实现在c-Si中的低温P或B掺杂

4) 通过热丝裂解PH3或B2H6，可以在80℃条件下将P或B原子掺杂到c-Si中。

4)研究起步