江西汉可基础型 HoF CVD-参数-价格-中国粉体网

核心参数

相关资料

用户评论

公司动态

问商家

该款产品，基于热丝CVD法（Hot Filament Chemical Vapor Deposition，简称HoF CVD）镀膜，适用于高校、科研机构使用，或企业研发部门进行原理性验证和技术开发。热丝CVD法与PECVD法在功能上具有相通性，例如硅基薄膜镀膜、氮化硅镀膜、氟系有机材料镀膜等，可以相互替代。但因为镀膜的原理不同，又具有不同的特点。简要总结如下表所示：

	PECVD	HoFCVD
镀膜质量	高，有等离子体损伤	更高，无等离子体损伤
镀膜速度	较慢（非晶硅慢，微晶硅更加慢）	较快（相比于 PECVD，非晶硅快，微晶硅更快）
设备造价	高（射频电源、碳基载板，匀气结构复杂）	低（直流电源、金属载板、匀气结构简单）
运营成本	一般	较低
颗粒污染	镀膜气压几十-几百 Pa，易形成粉尘；需每天 NF3 等离子清洗	镀膜气压几 Pa，不易形成粉尘；可忽略该问题。
载板要求	一般碳基（石墨为主），载板是PE 放电的电极之一，参与放电，所以对其导电性等要求很高。	一般金属载板。载板不参与气体分子的裂解反应，导电性无要求。
绕镀问题	原理性问题，需要载板、硅片的平整度和贴合程度要求很高才能避免。	可忽略。对载板、硅片的平整度、贴合程度要求低。
生产装备结构	卧式：载板、硅片水平放置，自动化易于实现；粉尘颗粒易于粘附与硅片表面	立式：载板、硅片垂直放置，自动化难度高；粉尘不易与粘在硅片表面。
镀膜均匀性	小面积高；但面积增大难度极高（因为等离子体的控制难度高，有驻波效应）。	小面积低；但面积增大容易（因为热丝周期性排布）
设备普及程度	高。装备、工艺技术人员充足丰富。	低。装备、工艺人员少。