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电浆辅助化学气相沉积系统
電漿輔助化學氣相沉積系統(PECVD)
Plasma - Enhanced Chemical Vapor Deposition
基板尺寸:10x10cm或其他尺寸
濺鍍源:13.56 MHz RF 或2.45 GHz微波
基板加溫:Max800℃
自動製程
Description:
基板尺寸:6”Wafer或其他尺寸
電漿源:13.56 MHz RF & Bias
基板加溫:Max350℃
氣體:SiH4，NH3,N2O，Ar,N2，CF4,O2...
自動壓力控制器
用途:SiO2，SiXNX ... etc.,
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