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208C高真空镀碳仪为SEM、TEM、STEM、EDS/WDS、EBSD和微探针分析提供高质量的镀膜技术。系统结构紧凑,所占空间小。样品室直径150mm,可快速抽真空进行镀膜处理,处理周期约10分钟。高真空条件下使用超纯的碳棒为严格的高分辨扫描电镜、透射电镜、EBSD及探针分析提供高质量的镀膜处理。.组件设计方式可方便地对不同优化条件下的各种应用进行切换
主要特性
电压控制的碳棒具有多次蒸发能力
反馈控制可以得到准确一致的镀膜厚度
可选择操作方法优化镀膜过程
繁忙条件下可进行自动蒸发控制
低成本高分辨膜厚监测仪保证可重复的镀膜效果
80L/s的分子涡轮泵可快速地使直径150mm的样品室达到镀膜要求的真空
可配备无油涡旋式真空泵选件
可通过以下方式节约成本:无须水冷却系统
无须加热或冷却
无须液氮
制样周期短
节省空间
碳蒸发控制
208C对碳棒-Bradley型碳蒸发源使用独特的完全集成的反馈控制设计。
电流和电压通过磁控头的传感线监控,蒸发源作为反馈回路中的一部分被控制。该蒸发装置使常规的碳棒具有优良的稳定性和重现性。功率消耗低,碳棒具有异常的重新蒸镀特性。
蒸发源使用两步超纯碳棒。
蒸发源可以手动“脉冲”或“连续”的方式进行镀膜。“脉冲”方式如果和MTM-10高分辨膜厚监测仪一起使用,可以准确得到所需要的膜厚。自动方式下的操作非常方便,操作者只要设定电压和时间,可以得到一致的镀膜效果。
208C样品室
样品室的组件设计方式可适应多种附件使用。
通过简单调节工作距离,可方便地调节蒸发速率。
独特的标准化高/低真空压力调节通过精密针阀完成。
高真空用于**质量地镀膜,如用于TEM制样。
低真空用于TEM栅网的辉光放电清洁以及扫描电镜观察中形貌复杂样品的镀膜。
对于SEM、EDS/WDS 和探针分析,旋转-行星转动-倾斜样品台可对同时多个样品进行一致的镀膜处理。
旋转-倾斜台特别为TEM样品处理设计,而且可以放置25 x 75mm的玻片。
技术参数 | |
样品室大小 | 直径150mm、高度 165mm - 250mm可调 |
蒸发源 | Bradley型 (6.15mm直径 rods) ,高强度不锈钢结构 |
蒸发控制 | 基于微处理器的反馈回路控制,能够进行远程电流/电压感应,基于真空水平变量的安全互锁功能,**电流180A,提供过流保护 |
样品台 | 可安装12个扫描电镜样品座 高度在60mm范围内可调 旋转-行星转动-倾斜样品台(选件) |
模拟计量 | 真空, 双范围 Atm - 0.001mb ;1 x 10-3mb- 5 x 10-6 mb 电流, 0 - 200A |
控制方法 | 自动蒸发控制,使用程序设定的电压和时间,自动放气 以脉冲或连续方式进行完全手动控制 数字定时器(0-30s) 数字电压设置(0.1 to 5.5V) |
真空系统 | |
结构 | 分子涡轮泵/旋片泵组合,无油涡旋式真空泵(选件) |
抽真空速度 | 80 L/s. |
抽真空时间 | 1.5 min至 1 x 10-4mb |
极限真空 | 5 x 10-6mb |
桌上系统 | 旋片泵可置于抗震台上,全金属真空耦合系统 |
系统要求 | |
电源 | 100-120 或 200-240 VAC, 50/60Hz |
功率 | 1200 VA max. |
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