美国SVT Laser MBE

Laser MBE具备PLD和传统MBE的特性，可对薄膜的生长速率进行精确（原子层级别）控制。通过在MBE系统上增加激光烧蚀工艺，系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等。SVT有18年的MBE设备制造经验，我们擅于通过原位的监控测量仪器来提高薄膜生长的质量。其中原位测量仪器包括：温度测量、厚度测量、RHEED、束流监控等。如果您想了解更多这方面的信息，

应用：

可用于研究氧化物半导体， 高温超导材料，光学晶体，电光学薄膜，铁电以及铁磁材料等。

标准性能：

• 超高真空（本底压强<1E-10 Torr）；

• 多种生长模式的源集成，包括：

• RF等离子体

• 蒸发源

• 电子束蒸发

• 臭氧传送系统

• 先进的原位监控仪（可选）

• 原子吸收束流监控仪

• RHEED

• 温度以及厚度监控仪

• 6个可旋转PLD靶

• 高功率准分子激光器

• 提供合适的泵抽组合

• 多种腔室配置以满足您的需求

• 培训以及服务支持