反应离子刻蚀

NRE-4000（M）反应离子刻蚀概述：

NRE-4000是一款独立式RIE反应离子刻蚀系统，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔，便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗，另一个空置用于诊断.该系统可以支持**到12”的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10^-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀，一个250l/s的涡轮分子泵，滤网过滤器，以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W，13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压，该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。

该系统是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示，流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级，以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式)， 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。

NRE-4000（M）反应离子刻蚀产品特点：

• 铝质腔体或不锈钢腔体

• 不锈钢立柜

• 能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属

• 典型的硅刻蚀速率，400 ?/min

• 高达12”的阳极氧化铝RF样品台

• 水冷及加热的RF样品台

• 大自偏压

• 淋浴头气流分布

• 极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别

• 涡轮分子泵

• *多支持8个MFC

• 无绕曲气体管路

• 自动下游压力控制

• 双刻蚀能力支持：RIE以及PE刻蚀（可选）

• 终点监测

• 气动升降顶盖

• 手动上下载片

• 基于LabView软件的PC计算机全自动控制

• 菜单驱动，4级密码访问保护

• 完全的安全联锁

• 可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀

NRE-4000（M）反应离子刻蚀 Features：

• Aluminum or Stainless Steel Chamber

• Stainless Steel Cabinet

• Capable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metals

• Typical Si etch rate， 400 ?/min

• Up to 12“ Anodized RF Platen

• Water Cooled and Heated RF Platen

• Large Self Bias

• Shower Head gas distribution

• Approximately 10^-6 Torr < 20 minutes， ~ 5 x10^-7 Torr base pressure

• Turbomolecular Pump

• Up to eight MFCs

• No flexing of gas lines

• Down Stream Pressure Control

• Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option）

• End Point Detection

• Pneumatically Lifted Top

• Manual loading/unloading

• PC Controlled with LabVIEW

• Recipe Driven， Password Protected

• Fully Safety Interlocked

• Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch